ロゴ九州工業大学次世代パワーエレクトロニクス研究センター

活動報告

平成28年度

国際連携活動

  • モンゴルNUMとの連携研究活動
    モンゴル国立大学のDugarjav Bayasgalan教授らとM-JEEDプロジェクトによる研究連携の実施に向け、協定書締結の準備を進めています。パワーエレクトロニクス分野で研究者、博士課程学生等との研究交流、研究者の短期研修プログラムの実施など準備を進めています。
    本年8月に、イノベーション推進機構産学連携・URA領域国際部門の菊地教授にご同行いただき、大村センター長がNUMを訪問、パワーエレクトロニクス分野における国際連携研究について意見交換しました。
    12月には、大村センター長がモンゴル国営放送MNBより、北九州市の環境問題の解決と現在の様々な取り組みにについてインタビューを受けました。
  • 8月 NUM訪問


    12月MNB取材


    2月web公開

    https://www.youtube.com/watch?v=SNtSFXYpRk8 より

  • 海外研修報告

    若手海外研修プログラムにより、生命体工学研究科の長谷川助教がオールボー大学(デンマーク)での短期研修プログラムに参加しました。

    研修期間:平成29年1月9日~平成29年3月20日
    研修機関:オールボー大学

    オールボー大学Center of Reliable Power Electronics(CORPE):信頼性パワーエレクトロニクスセンターのFrede Blaabjerg教授、Huai Wang准教授らの研究協力により、パワエレ回路に搭載されるコンデンサの信頼性に関する研究を推進しました。電気自動車のモータ駆動や自然エネルギー用インバータの使用を想定した実験を行い、コンデンサ実使用時の信頼性について評価研究に取り組みました。今後も連携研究を深めていく予定です。

  • Energy Technology Department建屋


    実験の様子


    オールボーの街並み


    Frede先生(右),Huai先生(左)

  • UPMラボツアー実施
    マレーシアプトラ大学より来日の学生20名がラボツアーを実施しました。
    スマートフォンやハイブリット自動車、新幹線を例にパワー半導体について分かりやすく解説しました。IGBTなど高耐圧シリコンパワー半導体を中心に、発展の歴史、エネルギー有効利用技術としての現状と将来の方向性等についても説明を行いました。実験室の見学では、デモンストレーションの他、実際にパワー半導体に触れてもらいながら自由に意見交換を行いました。

    日  時:平成29年2月15日(水)10:30~12:00

    <プログラム>
    (1)次世代パワー半導体についてレクチャー
    (2)研究紹介 研究室代表学生による研究紹介
    (3)研究室見学
  • 次世代パワー半導体レクチャーの様子


    実験室見学の様子


    記念撮影

特別講義

  • 国際交流講演会:特別講義
    日  時平成28年4月14日 13:30~15:00
    場  所九州工業大学教育研究5号棟 5-2B講義室
    講  師Dr. Alberto Castellazzi
    Associate Professor of Power Electronics PEMC Group
    University of Nottingham
    タイトルWide-band-gap power device based power conversion for renewable energy sources
    講演概要高温対応デバイスとして注目されているワイドバンドギャップ(WBG)半導体は、高効率かつスイッチング周波数に対する性能の安定性により、アプリケーション関連の重要な関心を集めている。この講義は、特に、WBGパワーデバイスの特定の特性が電源の本質的、断続的な性質に対して電力コンバータ設計の最適化を可能にする再生可能エネルギー源の電力変換アプリケーションの展開を説明する。
  • Dr. Alberto Castellazziによる講義の様子

    (本講演は、平成28年度工学府融合科目として開講されました。)

  • 国際交流講演会:特別講義
    日  時:平成28年8月5日 14:30~16:00
    場  所:九州工業大学教育研究5号棟 5-2B講義室
    講  師:Dr.rer.nat. Gudrun Kissinger
    Scientist Materials Research IHP (Germany)
    タイトル:Title:Investigation of the Copper Gettering Mechanism of Oxide Precipitates in Silicon
    講演概要:パワーデバイスはLSIにとって、外部からウェーハに侵入する銅汚染原子は致命的な不良の原因となる。この問題は、銅配線化(LSI)、および高電圧動作化(パワーデバイス)が進む現状で大きな問題になっている。
    本講演では、シリコンにおける欠陥評価と制御技術の専門家である、Dr. G. Kissinger が、最新の評価ツールを用いて、銅汚染原子に対する酸素析出ゲッタリングの微視的メカニズムを解き明かす。
  • Dr.rer.nat. Gudrun Kissingerによる講義の様子


    記念撮影

産学連携活動

  • ひびきの地区拠点化強化
    ひびきの地区インターユニバーシティ構想と九工大が推進するパワーエレクトロニクス研究拠点化構想の実現に向け、三者連携協定(産総研、北九州市、九工大)を基に、ひびきの地区の大学および研究機関との研究連携にむけて取り組んでいます。

    戸畑キャンパス内および北九州学術研究都市事業化支援センター内 次世代PE研究センターおよび三者連携研究室の整備、機器の拡充を行いました。
  • 北九州学術研究都市事業化支援センター内次世代PE研究センターおよび三者連携研究室

  • 産学官連携共同研究の実施
    平成26年度~平成28年度: NEDOプロジェクトを実施しました。
    (6大学、1研究機関、企業2社との共同研究プロジェクト)
  • 地域イノベーションプログラムの実施
    平成24年度~平成28年度:地域イノベーション戦略支援プログラム(国際競争力強化地域)「福岡次世代社会システム創出推進拠点」を実施しました。
    研究テーマ:次世代窒化ガリウム(GaN)パワー半導体による革新的ワイヤレス・エネルギー供給技術開発と照明への応用
    招聘研究者:金田寛特任教授、市原文夫産学官連携研究員  

教育活動等

  • 安全教育の実施
    日  時:平成28年4月8日 9:45~12:00
    場  所:北九州学術研究都市
    教育内容: (1)安全とは
      ・ハインリッヒの法則
      ・重大事故を防ぐために
      ・報告の重要性
      ・基本作業の徹底
      ・事故が起こった場合の対応方法
    (2)健全な学生生活のために
    (3)安全ビデオ「低圧電気取扱の基礎知識」の視聴
    (4)実験室へ移動し、装置取扱・注意事項確認
    (5)総評およびコメント

  • 安全教育講義の様子


    実験室でのレクチャーの様子

  • 機器装置使用説明会
    日  時:平成29年3月9日
    場  所:戸畑キャンパス教育研究5号棟内
    内  容:テクトロニクスアイソレーションプローブ機器取扱教育
    参 加 者:7名
    概  要:センターが新たに導入した光ファイバーを用いたアイソレーションプローブの計測技術の向上を図るため、テクトロニクス専門技術者による取扱説明会を開催しました。
  • 専門技術者による説明会の様子

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