活動報告

トピックス

北九州市長表敬訪問
九州工業大学次世代パワーエレクトロニクス研究センターは、北九州学術研究都市に新たに研究拠点を開設した株式会社Power Diamond Systemsと共同研究を開始しました。
究極の半導体と言われるダイヤモンドパワー半導体デバイスの開発、応用を目指します。
ダイヤモンドパワー半導体は、大電流・高電圧の制御や省エネ効果に優れ、電気自動車（ＥＶ）などの次世代パワーエレクトロニクス分野での実用化が期待されています。また、放射線量が強い環境でも作動することから宇宙空間での利用も視野に応用技術の研究も行います。2023年8月29日に本共同研究の研究者一同が北九州市長を表敬訪問し、研究概要を説明しました。九州工業大学HP　https://www.kyutech.ac.jp/whats-new/topics/entry-10083.html

一般社団法人電子情報通信学会電子通信エネルギー技術研究会若手エンジニア論文発表賞を受賞しました。

2022年１月27日から2日間、オンラインで開催された電子情報通信学会電子通信エネルギー技術研究会（EE）において発表した論文が、若手エンジニア論文発表賞を受賞しました。

論文題目：	トランスレスフローティングゲートドライバICの１チップ化に向けてのシミュレーションによる検討
著　　者：	大串悠介,松本聡
概　　要：	近年、 Power supply on chip (power SoC)が究極の電源の小型化として注目されている。我々の研究グループではスイッチング素子や受動素子を三次元に積層した 3D power SoC を提案しているが、入出力電圧が素子の耐圧によって決まることが挙げられる。この問題を解決するためには ISOP DC DC コンバータでは MOSFETのソースがフローティングする。つまり、3D　power SoC の実現にはフローティングゲートドライバーが必要となる。以前、ショットキーバリアダイオードを使用したトランスレスフローティングゲートドライバーを提案したが、ショットキーバリアダイオードは集積化が困難である。本論文では MOSFET を使用して 1 チップ化が可能となるトランスレスフローティングゲートドライバーについてシミュレーションにより検討した結果を報告する。

公益財団法人福岡県産業・科学技術振興財団／公益財団法人北九州産業学術推進機構主催「半導体応用基礎講座」が開講され、当センターの大村教授が講演しました。

開催日：	2022年9月16日　13：00～15：50
場　所：	北九州学術研究都市　学術情報センター遠隔講義室1
講演タイトル：	接続可能な未来とパワーエレクトロニクス 2050年CO2排出実質ゼロを目指すためにパワーエレクトロニクス技術が果たす役割について議論しました。

講座のチラシはこちら

2022年5月10～12日にドイツニュルンベルグで開催されたPCIM Europeにて、当センターの大村教授がKeynote Speechを行いました。
講演資料は、九州工業大学図書館リポジトリに登録しております。
下記画像をクリックいただくと、本学図書館リポジトリページに移行します。
Keynoteの講演は、Power＆Beyondよりご覧いただけます。

ISPSD2022：論文発表（3件）

ISPSD2022 – 2022 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs
パワー半導体デバイスおよびパワーICに関する世界最大の国際学会：ISPSD2022（査読付き国際会議）において下記3件を発表しました。

日　　時：	2022年5月22日（火）～26（木）（ハイブリット開催）
場　　所：	カナダ　バンクーバー
学会ＨＰ：	https://ispsd2022.com/

◇Hybrid GaN-SiC Power Switches for Optimum Switching, Conduction and Free-Wheeling Performance, Battuvshin Bayarkhuu, Ravi Nath Tripathi, Ichiro Omura, Alberto Castellazzi Proc. of ISPSD2022, pp.301-304, May 22-25, Vancouver, Canada, 2022
◇Dynamic Vgs-Id monitoring system for junction temperature estimation for MOS gate power semiconductors, Yandagkhuu Bayarsaikhan, Ichiro Omura, Proc. of ISPSD2022, pp.193-196, May 22-25, Vancouver, Canada, 2022
◇Speed-Up Gate Pulse Method to Suppress Switching Loss and Surge Voltage for MOS Gate Power Devices, Hiroya Egashira, Hirotaka Oomori, Ichiro Omura, Proc. of ISPSD2022, pp.189-192, May 22-25, Vancouver, Canada, 2022

CIPS2022：論文発表（5件）

CIPS 2022 - 12th International Conference on Integrated Power Electronics Systemsパワーエレクトロニクスの集積化に関する国際学会：CIPS2022（査読付き国際会議）において下記５件を発表しました。

日　　時：	2022年3月15日（火）～17（木）（オンライン開催）
場　　所：	ドイツ　ベルリン
学会ＨＰ：	https://www.cips.eu/en

◇A Study of a parasitic oscillation of trench IGBT in short-circuit mode based on signal flow graph model, Hiroshi Kono and Ichiro Omura (oral)
◇Feedback Controlled IPM Inverter with Single PCB Rogowski Coil Sensor Battuvshin Bayarkhuu, Bat-Otgon Bat-Ochir, Ichiro Omura (oral)
◇Thermal grease pump-out visualization system for power modules using 3D digital image correlation method, Issei Manzen and Ichiro Omura (oral)
◇Self-turn-on-free criteria for MOS gate power device and circuit
Takanao Nishio and Ichiro Omura (poster)
◇Direct / indirect impinging air jet cooling for power devices and application to power electronics system, Shunichiro Nakata and Ichiro Omura (poster)

電子情報通信学会電子通信エネルギー技術研究会（特別講演）

日　　時：	2022年1月27日（木）～28日（金）
場　　所：	オンライン
講演者：	安部　征哉
講演タイトル：	電源システムの安定性解析について Stability Analysis of Power Supply System （信学技報, vol. 121, no. 359, EE2021-39, pp. 48-51, 2022年1月）

新技術説明会で最新技術の発表を行いました。
2021年12月9日（木）にオンライン開催された九州工業大学新技術説明会で最新研究技術について発表しました。
発表者　　　　大村　一郎
タイトル　　　　薄さ250ミクロン、幅1.7ミリのフレキシブル電流プローブ

新技術の概要
厚さ250ミクロンの超薄型かつ幅2mm未満のフレキシブル電流プローブである。IGBTやパワーMOSFETのボンディングワイヤやモジュール電極端子の隙間に挿入して電流を計測。250ミクロン厚のイミド結束バンド形状なので、細かい配線や端子の電流を計測できる。フレキ基板の工程で量産可能であり非常に低コストである。ポリイミドを用いているので計測部分の温度が200度以上でも計測可能である。

九州工業大学　新技術説明会
「薄さ250ミクロン、幅1.7ミリのフレキシブル電流プローブ」
概要・発表資料　https://shingi.jst.go.jp/list/list_2021/2021_kyutech.html#20211209X-002

発表者　　　　長谷川　一徳
タイトル　　　　低コストで外部から測定可能なインバータ寿命診断技術

新技術の概要
インバータは産業用モータ駆動などのインフラを支える根幹技術であり、省エネルギー効果とコスト低減の達成に加え、従来とは桁違いの高い信頼性が要求されている。本技術はインバータの最大の故障要因であるキャパシタの寿命診断を高価なセンサを使用することなく、かつ回路の改造も必要とせず実現する。そのため新設だけでなく既設のインバータに導入可能である。動作中にオンラインで診断する特長も有し、インフラ設備用など運転停止ができないインバータにも適用可能である。

九州工業大学　新技術説明会
「低コストで外部から測定可能なインバータ寿命診断技術」
概要・発表資料　https://shingi.jst.go.jp/list/list_2021/2021_kyutech.html#20211209X-003
日本技術士会北九州地区支部CDP（特別講演）

日　時：	2021年9月11日
場　所：	オンライン
講演者：	渡邉　晃彦
講演タイトル：	超高耐圧ダイヤモンド・パワー半導体の実現に向けて

電気学会産業応用部門大会シンポジウム（招待講演）

日　時：	2021年8月25日（水）～27日（金）
場　所：	ニューオータニ長岡／オンライン（ハイブリッド開催）
講演者：	大村　一郎
講演タイトル：	IGBTパワーモジュールの小型軽量化に貢献する電流測定技術 Power device current measurement technology for IGBT modules

電気学会　2020年電子・情報・システム部門　技術委員会奨励賞を受賞しました。

論文題目：	パワーデバイス電流集中測定技術
著　　者：	西尾成植, 松浦成哉, 附田正則, 大村一郎
概　　要：	IGBTモジュールなどパワーデバイスパッケージ内部のチップ間及びチップ内での電流集中現象は、電流センサのサイズやGBTチップ内の電流分離の問題から測定困難であった。本研究では、電流センサの小型化と特殊なサンプルIGBTの作製により、実使用と同等の条件下で電流集中現象の測定に成功した。本技術は電流集中のメカニズムの分析に大きく貢献する。

イノベーションジャパンへの出展決定
2021年8月23日（月）～9月17日（金）にオンラインで開催されるイノベーションジャパン2021　大学見本市Online　に出展します。
【出展分野】低炭素・エネルギー
【出展タイトル】厚さ250ミクロン超薄型フレキシブル電流センサ
イノベーションジャパン公式HP　https://innovationjapan-univ.jst.go.jp/
パワー半導体分野で最も権威のある国際会議にて3件の論文発表
5月30日から6月3日の期間、オンラインで行われたThe 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021)において、本センターより2件のオーラル発表、1件のポスター発表を行いました。ISPSDは、この分野で最も権威のある国際会議であり、発表論文の採択率がオーラル発表で20％と厳しいレビューが行われることで有名です。
【発表論文】
“Improved DICM with an IR Camera for Imaging of Strain and Temperature in Cross Section of TO Packages”
Yoshiki Masuda, Akihiko Watanabe, Ichiro Omura
“DUT Temperature Coefficient and Power Cycles to Failure”, Yuma Kawauchi, Kenji
Akimoto, Akihiko Watanabe, Ichiro Omura
“Benchmarking of Digital Gate Driven IGBTs: New Eoff-Vsurge Trade-Off Approach”
Kouji Harasaki, Masanori Tsukuda, Ichiro Omura
平成30年度地球温暖化防止活動環境大臣表彰を受賞
平成30年12月3日（月）イイノホール＆カンファレンスセンター（東京都内）で平成30年度地球温暖化防止活動環境大臣表彰式が行われました。
本表彰は、環境省が平成10年度から地球温暖化対策を推進するための一環として、毎年地球温暖化防止月間である12月に、地球温暖化防止に顕著な功績のあった個人又は団体に対しその功績をたたえるため、地球温暖化防止活動大臣表彰を授与しているものです。
本年度、次世代パワーエレクトロニクス研究センターの低炭素社会への実現へ向けた取り組みの一環「量産性の高い低コストパワー半導体を実現するシリコンパワー半導体（IGBT）微細化スケーリング則」の研究開発において地球温暖化防止活動大臣表彰「技術開発・製品化部門」を受賞いたしました。
本年度は、「技術開発・製品化部門」6件、「対策技術先進導入部門」10件、「対策活動実践・普及部門」14件、「環境教育活動部門」7件、「国際貢献部門」2件の３9件（団体、共同、個人）が受賞しました。
表彰式当日は、原田義昭環境大臣からの表彰状授与、受賞者・一般参加者との情報交換会、これまでの取組みを紹介する受賞者フォーラムが行われ、大村センター長が代表し授賞式に出席しました。
当センターでは、今後も低炭素社会の実現へ向けた取り組みを継続し、地球温暖化防止活動の一助となるべく研究開発を行っていく所存です。

令和2年度電気学会電産業応用部門優秀論文賞　受賞

令和2年12月21日～22日にオンラインで行われた、電気学会産業応用部門（D 部門）電子デバイス/半導体電力変換合同研究会パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術において発表した論文2件が、電気学会産業応用部門（D 部門）優秀論文発表賞を受賞しました。

論文題目：	パワーデバイス電流集中測定技術
著　　者：	西尾成植, 松浦成哉, 附田正則, 大村一郎
概　　要：	IGBTモジュールなどパワーデバイスパッケージ内部のチップ間及びチップ内での電流集中現象は、電流センサのサイズやIGBTチップ内の電流分離の問題から測定困難であった。本研究では、電流センサの小型化と特殊なサンプルIGBTの作製により、実使用と同等の条件下で電流集中現象の測定に成功した。本技術は電流集中のメカニズムの分析に大きく貢献する。

論文題目：	650V定格FP-MOSFET実現に向けた理論検討
著　　者：	星原宏紀, 伊東篤史, 大村一郎
概　　要：	フィールドプレートMOSFET（FP-MOSFET）はシリコン限界より低オン抵抗を実現できるため150V程度まで商品化されている。FP-MOSFETのさらなる高耐圧化を目指し650V定格のFP-MOSFETについて解析による研究を行った。本研究では数式による解析モデルとイオン化積分を組み合わせたデバイスモデルで構造設計し、TCADによる確認を行った。その結果、650V定格でSJ-MOSFETと同等以下のオン抵抗実現が原理的に可能であることを明らかにした。

令和2年度電気学会電子デバイス／半導体電力変換合同研究会学生奨励賞受賞

令和2年12月21日～22日にオンラインで行われた、電気学会産業応用部門（D 部門）電子デバイス/半導体電力変換合同研究会パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術において、博士前期課程2年西尾成植さんが学生奨励賞を受賞しました。

タイトル：	パワーデバイス電流集中測定技術
著　　者：	西尾成植, 松浦成哉, 附田正則, 大村一郎
概　　要：	ＩＧＢＴモジュールなどパワーデバイスパッケージ内部のチップ間及びチップ内での電流集中現象は、電流センサのサイズやＩＧＢＴチップ内の電流分離の問題から測定困難であった。本研究では、電流センサの小型化と特殊なサンプルＩＧＢＴの作製により、実使用と同等の条件下で電流集中現象の測定に成功した。本技術は電流集中のメカニズムの分析に大きく貢献する。

IEEE Power Electronics Society
2018 IEEE Transactions on Power Electronics Prize Letter Award 受賞
長谷川一徳准教授、高原賢さん、田畑勝次さん、附田正則客員准教授、大村一郎教授の共著論文がIEEE Power Electronics Society 2018 IEEE Transactions on Power Electronics Prize Letter Award を受賞しました。
2018年9月23日～27日にアメリカオレゴン州ポートランドで開催のECCE2018 (IEEE ENERGY CONVERSION CONGRESS & EXPO)で授賞式が行われ、長谷川准教授と附田客員准教授が出席しました。

Title: A New Output Current Measurement Method With Tiny PCB Sensors Capable of Being Embedded in an IGBT Module
Authors: Kazunori Hasegawa, Satoru Takahara, Shoji Tabata, Masanori Tsukuda, and Ichiro Omura,
Published in: March 2017, Vol. 32, pp. 1707-1712
Abstract:
This paper proposes a new output current measuring method using tiny printed-circuit-board (PCB) current sensors. The method will make it possible to install the PCB current sensors in an insulated-gate bipolar transistor (IGBT) module. The PCB sensor picks up a switching current flowing through an IGBT chip, and then a combination of a digital circuit based on field-programmable gate array and an integrator circuit reproduces the output current of an inverter from the switching current. A proof-of-concept experimental verification is carried out using a buck converter, which verifies that the proposed method detects a dc component of the output current as well as a ripple component although the PCB sensor is based on the so-called Rogowski coil.

International Workshop on Power Supply on Chip 2018
Best Student Poster Award　を受賞
平成 30 年10月17日～10月19日にNational Chiao Tung University（台湾新竹市）で行われた International Workshop on Power Supply on Chip 2018にて、博士前期課程2年皆尺寺光さんがBest Student Poster Award（第三位）を受賞しました。

Title: Design Consideration of Air-Core On-Chip Spiral Coil for Power-SoC
Authors: Hikaru Kaishakuji, Seiya Abe
Abstract:
The power supply on chip (power-SoC) which integrates power devices, control circuits and passive devices fabricated on the same chip or 3D-stacked chip are attractive because it can realize ultimate minimization of the power supply. In order to achieve the high efficiency power-SoC, the development of the high performance air-core coil is necessary. In this paper, the design methodology of air-core spiral coil is discussed.

電気学会産業応用部門秀修論発表賞を受賞

平成 30 年 11 月１日～2 日に川崎素産業振興会館で行われた、電気学会産業応用部門（D 部門）電子デバイス/半導体電力変換合同研究会パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術において、博士前期課程 2 年永松拓朗さんが部門優秀論文発表賞を受賞しました。

タイトル：	宇宙環境で用いるパワーデバイスの宇宙線故障率の算出法提案
著　　者：	永松拓朗、須藤雅貴、大村一郎
概　　要：	人工衛星や宇宙ステーションの消費電力増大により電力システムの高電圧化が進むと予測され、それに伴いパワーデバイスの高耐圧化も求められる。ところが宇宙での高耐圧デバイス利用を想定した宇宙線故障率の算出手法が無かった。そこで我々のグループは、宇宙線故障率の算出式を提案したが十分な精度が得られていなかった。本研究では、詳細なTCAD シミュレーション結果を分析し新しい故障率算出式を提案する。

活動報告

SUMCO 共同研究講座技術交流会の開催

日　　時：平成 30 年 4 月 25 日～26 日

場　　所：株式会社 SUMCO 久原工場（佐賀県伊万里市）

2017 年度に設立した SUMCO 共同研究講座の取組みの一環として、技術交流会を開催しました。
技術交流会では、大村先生の講演、SUMCO から共同研究講座活動報告が行われました。当日は、久原工場と SUMCO の各拠点（本社、佐賀、長浜、野田、米澤、千歳、長崎、宮崎）との TV 会議を接続し、多くの関係者が参加しました。また、結晶工場、ウェーハ工場の見学を行いました。

イノベーションジャパン 2018

日　　時：	平成 30 年 8 月 29 日～30 日
場　　所：	東京ビッグサイト（東京都）
タイトル：	1/1000 に小型・低コスト化：電力用インテリジェント電流センサ
発表概要：	リント基板上への集積化と信号処理 IC 技術と融合した、新しい概念の電流センサを紹介する。特殊なプリントパターンと独自の信号処理技術で 1000 分の 1 に小型化・低コスト化を実現した。１A 以下～1000A 以上までの広い電流範囲と DC から 100MHz まで周波数レンジをカバー可能である。電気自動車や太陽光発電などに使われるパワー半導体や、サーバー用スイッチング電源のプリント基板上に集積化するなど様々なパワーエレクトロニクス機器への応用が広がる。専用ソフトウエアの開発で、電流検出だけではなく故障診断などの機能を付加できることも特長である。

イノベーションジャパン 2018

日　　時：	平成 30 年 8 月 29 日～30 日
場　　所：	東京ビッグサイト（東京都）
タイトル：	寿命予測・故障予測を可能にするパワー半導体検査装置
発表概要：	「ハイブリッド自動車などに使われる部品が故障する前に自ら知らせてくれる。」この夢に一歩近づく新しい検査装置を独自開発した。本検査装置は故障を再現する加速試験装置と非破壊内部を観察する超音波顕微鏡を独自開発の高度なソフトウエアで統合したことで故障メカニズムの詳細な分析と故障過程のモデル化が可能となった。現在 500A の繰り返しストレスが可能な装置を開発し、最高温度 170℃程度での実用化実証試験を準備している。今後シミュレータと機能統合することでモデルの高度化が進めば、センシング技術と組み合わせて部品の寿命予測や故障予測を行っていく予定です。

新技術説明会

日　　時：	平成 30 年 12 月 20 日
場　　所：	JST 東京本部別館ホール（東京都）
発表者：	大村一郎
タイトル：	1/1000 に小型・低コスト化：電力用インテリジェント電流センサ
発表概要：	プリント基板上への集積化と信号処理 IC 技術と融合した、新しい概念の電流センサを紹介する。特殊なプリントパターンと独自の信号処理技術で 1000 分の 1 に小型化・低コスト化を実現した。１A 以下～1000A 以上までの広い電流範囲と DC から 100MHz まで周波数レンジをカバー可能である。電気自動車や太陽光発電などに使われるパワー半導体や、サーバー用スイッチング電源のプリント基板上に集積化するなど様々なパワーエレクトロニクス機器への応用が広がる。専用ソフトウエアの開発で、電流検出だけではなく故障診断などの機能を付加できることも特長である。

参考：https://shingi.jst.go.jp/kobetsu/kyutech/2018_kyutech.html

環境エレクトロニクス研究所主催ワークショップ
第 9 回次世代ユビキタス・パワーエレクトロニクスの為の信頼性科学ワークショップ

日　　時：	平成31 年 3 月 5 日 13：30～16：30
場　　所：	北九州産学学術推進機構連携センター研修室
主　　催：	北九州市環境エレクトロニクス研究所
共　　催：	九州工業大学
後　　援：	北九州市立大学、早稲田大学大学院情報生産システム研究科、産業技術総合研究所 FAIS、電気学会、NPERC-J、株式会社北九州銀行
プログラム
13：30～	開会挨拶環境エレクトロニクス研究所事務局長小溝修
13：35～	「パワー半導体の新しい信頼性評価」環境エレクトロニクス研究所／九州工業大学教授大村一郎
14：00～	「パワー半導体の電流集中破壊」環境エレクトロニクス研究所／九州工業大学特任准教授附田正則
14：25～	「次世代超小型スイッチング電源の設計技術」九州工業大学准教授安部征哉
14：50～	休憩
15：10～	「パワーモジュール接合部の寿命予測を可能にするボンディングワイヤ材の材料特性評価環境エレクトロニクス研究所宍戸信之「非線形破壊力学パラメータによるパワーモジュールの Wire-liftoff 寿命評価」環境エレクトロニクス研究所葉山裕
16：00～	「信頼性工学の諸問題」環境エレクトロニクス研究所二宮保
16：25～	閉会挨拶環境エレクトロニクス研究所事務局長小溝修

企業報告会・見学会の実施
平成 31 年 3 月 19 日～20 日に、企業訪問、報告会・工場見学会を実施しました。

平成 31 年 3 月 19 日
カルソニックカンセイ株式会社本社、研究開発センター

平成 31 年 3 月 19 日
東芝三菱電機産業システム株式会社府中工場

平成 31 年 3 月 20 日

東芝キヤリア株式会社新富士工場

見学にご協力いただきました企業関係者の皆様に御礼申し上げます。

センター見学会
平成 31 年 2 月 15 日（金）14：00～17：00 電気学会産業応用部門半導体電力変換技術委員会「交流電源にインタフェースされる電力変換回路および制御技術調査専門委員会」の委員の方々による、当センターの見学会が行われました。

センター概要説明

センター見学会の様子

モンゴル国立大学（NUM）との連携研究活動
モンゴル国立大学と M-JEED プロジェクトによる連携研究を推進しています。パワーエレクトロニクス分野において、研究者・博士課程学生等との研究交流、研究者の短期研修プログラムの実施などを進めています。

MJEED の共同研究プログラムの来日ミッションとして、モンゴルから代表団が来日しました。戸畑キャンパスをはじめ、若松キャンパスを訪問し、MJEED-PJ に関するヒアリング等が行われました。また施設見学会を行いました。

HIGHER ENGIINEERING EDUCATION DEVELOPMENT (MJEED) PROJECT JOINT RESEARCH PROGRAM 2018 DELEGATION LIST MID-TERM REVIEW

平成 30 年 9 月 17 日～9 月 19 日
MJEED-PJ に関する打合せと今後の連携発展に向け、大村センター長がモンゴル国立大学を訪問し、今後の展望について意見交換を行いました。
モンゴル国立大学では、大村先生がパワー半導体の基礎についてレクチャーを行いました。MJEED-PJ で留学中の生体機能応用工学専攻博士前期課程 2 年 Buttuvshin BAYARUKUU さんが、日本での研究成果の発表を行いました。

記念撮影 — モンゴル国立大学 Baldorj OCHIRKHUYAG副学長 (中）
Erdenebaatar Dashdondog （右）九工大 OB

平成31年 3 月 11 日～12 日
“Higher Engineering Education Development” (M-JEED) Project
International Conference on Joint research Program in Mongolia under “Higher
Engineering Education Development” Project (ICJPM 2019) が開催され、大村センター長が下記のタイトルで講演しました。

“JOINT PROJECT REPORT: POWER SEMICONDUCTOR FOR SPACE
APPLICATION AND CURRENT SENSOR FOR POWER ELECTRONICS”
Ichiro Omura

当日の会場の様子

国立台湾大学との交流
The International Forum on Advanced Technologies

日　　時：	平成31年 3 月 7 日～8 日
場　　所：	国立台湾大学
主　　催：	国立台湾大学
講演タイトル：	Measurement of the Electric Current Flow inside Power Modules Chainpds with Tiny Sensors, Ichiro Omura (invited)

Kung-Yen Lee 先生特別講演会

日　　時：	平成 30 年 11 月 5 日
場　　所：	九州工業大学次世代 PE 研究センター
主　　催：	学生向けに台湾の電力事情、パワー半導体の講演会を実施しました。センター施設見学を行いました。

Lee 先生には、11 月 7 日開催の重点プロジェクト研究センター合同 WS でPlenary 講演を行っていただきました。

マレーシアMSSC 職員のセンター見学

日　　時：	平成 30 年 12 月 18 日
場　　所：	九州工業大学次世代 PE 研究センター
概　　要：	マレーシア MSSC 職員の若松キャンパス訪問時に、センターを見学、GI コースでマレーシア研修に参加の学生や研究室留学生から、研究紹介等を行いました。

マレーシアUniversiti Tenaga Natioal （UNITEN）との交流

日　　時：	平成 30 年 12 月 15 日
場　　所：	九州工業大学戸畑キャンパス・若松キャンパス
概　　要：	昨年度より教育・研究連携について議論を継続しているマレーシア Universiti Tenaga Natioal （UNITEN）の教員が、SEAS2018 参加のため来日。次世代PE 研究センターの見学等を行いました。

国際合同シンポジウム Plenary Speach
The 6th Symposium on Applied Engineering and Sciences : SAES2018

日　　時：	平成30年 12 月 15 日
場　　所：	九州工業大学百周年中村記念館
主　　催：	九州工業大学
Titel：	New Collaboration Scheme in Kyutech Power Electronics Research Center （概要）次世代 PE 研究センターの紹介、産学連携スキームの考え方、共同研究講座の特徴と企業との連携実績と将来像、PE 研究センターが開発したオープンラボプログラムの仕組みと特長

PE センターの紹介
連携スキームの考え方・大学の資源と連携プロジェクト
共同研究講座の特徴と SUMCO との経緯と現状、将来
オープンラボの仕組みと特徴、具体例と発展
公的資金：JSPS（科研費、基礎研究）、JST（ASTEP など）、経産省、
NEDO（大プロ・産業）
連携に必要なコンソーシアムやコニュニティーの形成
海外との連携での課題と解決策について
まとめ

SEAS2018 講演の様子

日　　時：	平成 30 年 4 月 25 日～26 日
場　　所：	株式会社 SUMCO 久原工場（佐賀県伊万里市）